통신
RFHIC의 질화갈륨 (GaN) 기술을 통해 차세대
무선통신 인프라 시장을 이끌고 있습니다.
무선통신 인프라 시장을 이끌고 있습니다.
H028P1
설명
RFHIC H028P1은 2620~2690MHz 대역에서 동작하는 GaN on SiC(질화갈륨-탄화규소) 고전자이동도 트랜지스터(HEMT)입니다. 48V 동작에서 포화 출력 33.1W를 제공하며 고효율·고선형성을 구현하도록 설계되었습니다. WiMAX, LTE, WCDMA, GSM 무선통신 시스템에 적합합니다.
View Product Specification
WiMAX, LTE, WCDMA, GSM
Multi-Band, Multi-Mode
Multi-Carrier
High Efficiency Doherty Amplifier
제품 사양
| Min Freq.(MHz) | 2620MHz |
|---|---|
| Max Freq.(MHz) | 2690MHz |
| Typ Output Power(W) | 3.2W |
| Saturation Power(W) | 33.1W |
| Power Gain(dB) | 18.6dB |
| Efficiency | 23% |
| VDC(V) | 48 |
| Package | DFN66726L-Q2 |
| Package Type | Surface Mount |
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