통신
RFHIC의 질화갈륨 (GaN) 기술을 통해 차세대
무선통신 인프라 시장을 이끌고 있습니다.
무선통신 인프라 시장을 이끌고 있습니다.
IG63070P
설명
RFHIC IG63070P는 C-대역에서 동작하는 70W GaN SiC 트랜지스터로, 반도체 장비, 마이크로파 가열·건조, 플라즈마 시스템 응용을 위해 설계되었습니다. RFHIC의 최신 GaN-on-SiC HEMT 기술을 적용해 우수한 열 안정성과 높은 항복 전압을 제공합니다.
View Product Specification
Semiconductor equipment
Microwave Heating and Drying
Linear Accelerators
Advanced materials processing
Plasma systems
제품 사양
| Min Freq.(MHz) | 5850MHz |
|---|---|
| Max Freq.(MHz) | 6650MHz |
| Output Power(W) | 70W |
| Power Gain(dB) | 8.8dB |
| Drain Efficiency(%) | 40% |
| VDC(V) | 40 |
| Package Type | Flange |
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