통신
RFHIC의 질화갈륨 (GaN) 기술을 통해 차세대
무선통신 인프라 시장을 이끌고 있습니다.
무선통신 인프라 시장을 이끌고 있습니다.
RFHIC AB02AAGAB는 DC부터 4GHz까지 동작하는 60W GaN on SiC RF 전력 트랜지스터로, 광대역 증폭기와 WiMAX, LTE, WCDMA, GSM 응용을 위해 설계되었습니다. RFHIC의 최신 GaN-on-SiC HEMT 기술을 적용해 우수한 열 안정성과 높은 항복 전압을 제공합니다.
View Product Specification| Typ Output Power(W) | 47.8W |
|---|---|
| Saturation Power(W) | 60W |
| Power Gain(dB) | 11.8dB |
| Efficiency | 72% |
| VDC(V) | 28 |
| Package | NS-BS01 |
| Package Type | Flange |