RIM132K0-20

GaN 전력 증폭기 – RF 에너지
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설명

RFHIC RIM132K0-20은 1295~1305MHz 대역에서 동작하는 2kW GaN(질화갈륨) 반도체 전력증폭기(GaN SSPA)로, 산업·과학·의료 응용을 위해 설계되었습니다. RFHIC의 최신 GaN-on-SiC HEMT로 제작되어 50V DC 전원에서 드레인 효율 65%를 제공합니다. 완전 정합 구조로 우수한 열적 안정성을 확보했으며, 기존 진공관 기반 시스템 대비 높은 신뢰성과 긴 수명을 제공합니다.

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Datasheet

Microwave Heating
Microwave Drying
Plasma Generation
Linear Accelerator

제품 사양

Min Freq.(MHz) 1295MHz
Max Freq.(MHz) 1305MHz
Output Power(W) 2000W
Efficiency 65%
VDC(V) 49
RF Input Connector SMA, Female
RF Output Connector 7/16 DIN, Female
Cooling Water