통신
RFHIC의 질화갈륨 (GaN) 기술을 통해 차세대
무선통신 인프라 시장을 이끌고 있습니다.
무선통신 인프라 시장을 이끌고 있습니다.
RIM091K5-20
설명
RFHIC RIM091K5-20은 900~930MHz 대역에서 동작하는 1.5kW GaN(질화갈륨) 반도체 전력증폭기(GaN SSPA)입니다. 드레인 효율 63%를 제공하며 CW와 펄스 운용이 모두 가능합니다. RFHIC의 GaN-on-SiC HEMT를 적용해 높은 효율과 신뢰성, 선형성을 확보했으며, 두 RF 포트에 DC 블로킹 커패시터를 내장한 50Ω 완전 정합 구조입니다. 마이크로파 CVD 리액터, 플라즈마 발생기, 마이크로파 가열 시스템에 적합합니다.
View Product Specification
Microwave Heating
Microwave Drying
Plasma Generation
제품 사양
| Min Freq.(MHz) | 900MHz |
|---|---|
| Max Freq.(MHz) | 930MHz |
| Output Power(W) | 1500W |
| Efficiency | 63% |
| VDC(V) | 50 |
| RF Input Connector | SMA, Female |
| RF Output Connector | 7/16 DIN, Female |
| Cooling | Water |
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