통신
RFHIC의 질화갈륨 (GaN) 기술을 통해 차세대
무선통신 인프라 시장을 이끌고 있습니다.
무선통신 인프라 시장을 이끌고 있습니다.
RCM25800-20G
설명
RCM2800-20G는 마이크로파 가열 및 플라즈마 생성 응용에 이상적으로 설계된 800 W GaN 반도체 마이크로파 발생기입니다. RCM25800-20G는 2400 MHz에서 2500 MHz 사이의 주파수에서 10 W부터 800 W까지 조절 가능한 연속파(CW) 및/또는 펄스 출력 전력을 제공하는 모듈형 발생기입니다. RCM2800-20G는 RFHIC의 최첨단 질화갈륨-온-실리콘카바이드(GaN-on-SiC) 트랜지스터로 제작되어 높은 전력 레벨과 높은 시스템 효율을 제공합니다. RCM2800-20G는 외부 소스 없이 신호를 생성하는 위상 고정 루프(PLL) 신디사이저를 갖추고 있습니다. RCM2800-20G는 Ethercat 방식의 통신을 지원합니다. 이 소형 발생기는 산업 및 의료 응용에 이상적으로 설계되었습니다.
View Product Specification
Building Block for High Power Systems
Microwave CVD Equipment
Plasma Generation
MW Heating and Drying
Semiconductor Equipment
제품 사양
| Min Freq.(MHz) | 2400MHz |
|---|---|
| Max Freq.(MHz) | 2500MHz |
| Output Power(W) | 800W |
| Efficiency | 55% |
| VDC(V) | 50 |
| Package Type | Module |
| Operating Mode | CW/Pulse |
| RF Output Connector | 7/16 DIN |
| Cooling | Water |
| Dimension(mm) | 320(W) x 150(D) x 51(H) |
| Weight | 5kg |
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