Home Products 고출력 RF/마이크로웨이브 시스템 GaN 마이크로웨이브 장비 RCM251K6-20G

RCM251K6-20G

GaN 마이크로웨이브 장비
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설명

RFHIC RCM251K6-20G는 마이크로파 가열 및 플라즈마 발생 응용을 위해 설계된 1.6kW GaN(질화갈륨) 반도체 마이크로파 제너레이터입니다. 모듈형 구조로 2400~2500MHz 대역에서 50W부터 1600W까지 출력을 조절할 수 있으며 CW와 펄스 운용을 모두 지원합니다. GaN-on-SiC(탄화규소 기반 질화갈륨) 트랜지스터와 PLL 신시사이저를 내장해 외부 신호원 없이 고출력·고효율 동작을 구현하며, 산업용 가열·건조용 마그네트론 대체를 목표로 합니다.

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Datasheet
Building Block for High Power Systems
Microwave CVD Equipment
Plasma Generation
MW Heating and Drying
Semiconductor Equipment

제품 사양

Min Freq.(MHz) 2400MHz
Max Freq.(MHz) 2500MHz
Output Power(W) 1600W
DC RF Efficiency(%) 57%
VDC(V) 50
Operating Mode CW/Pulse
Cooling Water
Line Connection D-sub 5W5
Dimension(mm) 200(W) x 362(D) x 53(H)
Weight 7.6kg
Interface RS-232
RF Output Connector 7/16 DIN
VSWR 6:1

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