Home Products GaN 전력증폭기 GaN PA – RF 에너지 RCM251K6-20

RCM251K6-20

GaN PA – RF 에너지
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설명

RFHIC RCM251K6-20은 고출력 산업·과학·의료(ISM) 응용을 위해 설계된 1.6kW GaN(질화갈륨) 반도체 전력증폭기(SSPA)입니다. 2400~2500MHz 대역에서 동작하며 RFHIC의 GaN-on-SiC HEMT 기술로 우수한 효율과 항복 전압을 확보했습니다. CW, 펄스, 선형 운용을 모두 지원하며, 산업용 마그네트론과 진공관을 대체해 산업 가열·건조, 마이크로파 CVD, 반도체 장비, 소결(Sintering) 공정에 적용할 수 있습니다.

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Datasheet
Microwave Heating and Drying
RF & Microwave Cooking
Semiconductor Equipment
Carbon Fiber Manufacturing

제품 사양

Min Freq.(MHz) 2400MHz
Max Freq.(MHz) 2500MHz
Output Power(W) 1600W
Power Gain(dB) 62dB
DC RF Efficiency(%) 57%
VDC(V) 50
RF Input Connector SMA Female
RF Output Connector 7/16 DIN Female
Cooling Water
Dimension(mm) 200 x 361.5 x 53
Weight 7.6kg