Home Products 고출력 RF/마이크로웨이브 시스템 GaN 마이크로웨이브 장비 RIK2524K-40TG

RIK2524K-40TG

GaN 마이크로웨이브 장비
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설명

RFHIC RIK2524K-40TG는 플라즈마 발생 및 마이크로파 가열 응용을 위한 24kW, 2.45GHz GaN(질화갈륨) 반도체 반도체 마이크로파 제너레이터시스템입니다. 2.4~2.5GHz 대역에서 600~24,000W 범위로 출력 조절이 가능합니다. GaN-on-SiC(탄화규소 기반 질화갈륨) HEMT를 적용해 우수한 열적 안정성과 높은 항복 전압을 확보했으며, 제어 모듈 쉐프 1대와 SSPA 쉐프 8대, 3상 380VAC 전원공급장치를 캠비닛에 통합했습니다. CW와 펄스 운용을 모두 지원하며 산업용 마그네트론 및 진공관 대체를 목표로 합니다.

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Datasheet
Microwave Heating
Microwave Drying
Plasma Generation
Magnetron Replacement

제품 사양

Min Freq.(MHz) 2400MHz
Max Freq.(MHz) 2500MHz
Output Power(W) 24000W
DC RF Efficiency(%) 51%
VDC(V) 50
VAC(V) 304~456
Operating Mode CW/Pulse
VSWR 6:1
Cooling Water
Line Connection 3P4W: (L1/L2/L3/N)
Dimension(mm) 650(W) x 1285(D) x 1797(H)
Weight 500kg
Interface D-Sub 9-Pin, Ethernet, USB
Waveguide Output WR430

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