통신
RFHIC의 질화갈륨 (GaN) 기술을 통해 차세대
무선통신 인프라 시장을 이끌고 있습니다.
무선통신 인프라 시장을 이끌고 있습니다.
RFHIC AB02ABCAB / AB02ABCAB1은 50~3000MHz 대역에서 동작하는 120W GaN-on-SiC 전력 트랜지스터로, 기상 레이더, 선박 레이더, L·S-대역 군용 레이더 시스템 응용을 위해 설계되었습니다. RFHIC의 최신 GaN-on-SiC HEMT 기술을 적용해 높은 항복 전압과 넓은 대역폭, 28V에서 67% 드레인 효율을 제공하며, 두 가지 세라믹 패키지 옵션(NS-BS01 / NS-BS01P1)으로 제공됩니다.
View Product Specification| Min Freq.(MHz) | 50MHz |
|---|---|
| Max Freq.(MHz) | 3000MHz |
| Typ Output Power(W) | 100W |
| Saturation Power(W) | 120W |
| Power Gain(dB) | 14dB |
| Efficiency | 67% |
| VDC(V) | 28 |
| Package | NS-BS01P1 / NS-BS01 |
| Package Type | Flange |