Home Products RF 트랜지스터 GaN 트랜지스터 – 통신 H007C11B

H007C11B

GaN 트랜지스터 – 통신
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설명

RFHIC H007C11B는 2000~2500MHz 대역에서 동작하는 GaN-on-SiC RF 트랜지스터입니다. 48V 동작에서 220W 포화 출력과 55% 드레인 효율을 제공합니다. 내부 사전 정합(pre-matched) 푸시풀(push-pull) 구조로 고출력 광대역 성능과 간편한 증폭기 구현을 지원하여, 양방향(2-way) 전용 무선, 광대역, 셀룰러, 계측기, CW 증폭기 응용에 적합합니다.

View Product Specification

Datasheet
2-Way Private Radio
Broadband Amplifier
Cellular Infrastructure
Test Instrumentation
CW Amplifier

제품 사양

Min Freq.(MHz) 2000MHz
Max Freq.(MHz) 2500MHz
Saturation Power(W) 220W
Power Gain(dB) 15.0dB
Efficiency 55%
VDC(V) 48
Package RF12001DHKR3
Package Type Flange

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