통신
RFHIC의 질화갈륨 (GaN) 기술을 통해 차세대
무선통신 인프라 시장을 이끌고 있습니다.
무선통신 인프라 시장을 이끌고 있습니다.
RIK05M15-40T
설명
RFHIC RIK05M15-40T는 최신 GaN-on-SiC(탄화규소 기반 질화갈륨) HEMT 기술을 적용한 고출력 반도체 마이크로파 제너레이터(SSPA)로, 높은 항복 전압과 뛰어난 전력 효율을 제공합니다. 현대 입자가속기 및 방사광 광원(Synchrotron) 설비가 요구하는 엄격하고 정밀한 사양을 충족하도록 설계되었습니다.
View Product Specification
Linear Acclerators
Microwave Assisted X-Ray Laser
Plasma Generation
제품 사양
| Min Freq.(MHz) | 499.593MHz |
|---|---|
| Max Freq.(MHz) | 500.593MHz |
| Output Power(W) | 150000W |
| Power Gain(dB) | 81.8dB |
| Efficiency | 53% |
| VAC(V) | 380 |
| VSWR | 6:1 |
| Cooling | Water/Air |
| Line Connection | 3 Phase 4 Wire |
| Dimension(mm) | 3300(W) ⅹ 1500(D) ⅹ 2800(H) |
| Weight | 2200kg |
| Interface | EPICS, Ethernet |
| Waveguide Output | WR1800 |
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