통신
RFHIC의 질화갈륨 (GaN) 기술을 통해 차세대
무선통신 인프라 시장을 이끌고 있습니다.
무선통신 인프라 시장을 이끌고 있습니다.
RFHIC RRF3135100-500은 고출력 레이다 응용을 위해 설계된 100W(16채널) S밴드 GaN(질화갈륨) 반도체 송신기입니다. GaN-on-SiC(탄화규소 기반 질화갈륨) HEMT를 적용해 우수한 열적 안정성과 높은 항복 전압을 확보했습니다. 클라이스트론, 마그네트론, 진행파관(TWT), 교차장 증폭기 등 기존 진공전자소자(VED) 기반 송신기를 반도체 방식으로 업그레이드할 수 있습니다.
View Product Specification| Band | S-band |
|---|---|
| Min Freq.(MHz) | 3100MHz |
| Max Freq.(MHz) | 3500MHz |
| Type | Rack |
| Min Output Power | 100W |
| Operating Mode | Pulse |
| Power Gain(dB) | 50dB |
| VAC(V) | 120/208 |
| Cooling | Air |
| Dimension(mm) | 482.6(W) x 606(D) x 354(H) |