통신
RFHIC의 질화갈륨 (GaN) 기술을 통해 차세대
무선통신 인프라 시장을 이끌고 있습니다.
무선통신 인프라 시장을 이끌고 있습니다.
RIM251K6-20
설명
RFHIC RIM251K6-20은 고출력 산업·과학·의료 응용을 위해 설계된 1.6kW GaN(질화갈륨) 반도체 전력증폭기(GaN SSPA)입니다. 마이크로파 조사, 멸균, 소결(Sintering), 클래딩, 접합, 분말야금 등에 활용됩니다. 2400~2500MHz 대역에서 동작하며 RFHIC의 GaN-on-SiC 기술로 우수한 열적 안정성과 항복 전압을 제공합니다. CW와 펄스 운용을 모두 지원하고, 전용 소프트웨어로 출력·주파수·신호원을 디지털 제어·모니터링할 수 있습니다. 최대 출력에서 VSWR 6:1까지 보호하는 고성능 아이솔레이터를 탑재했으며, 기준 이상의 반사 전력이 감지되면 자동 셔다운되어 장비 손상을 방지합니다.
View Product Specification
Microwave Heating
Microwave Drying
Plasma Generation
Microwave Sterilization
제품 사양
| Min Freq.(MHz) | 2400MHz |
|---|---|
| Max Freq.(MHz) | 2500MHz |
| Output Power(W) | 1600W |
| Efficiency | 58% |
| VDC(V) | 49 |
| RF Input Connector | SMA, Female |
| RF Output Connector | 7/16 DIN, Female |
| Cooling | Water |
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