통신
RFHIC의 질화갈륨 (GaN) 기술을 통해 차세대
무선통신 인프라 시장을 이끌고 있습니다.
무선통신 인프라 시장을 이끌고 있습니다.
ID41411DR
설명
RFHIC ID41411DR은 3700~4100MHz 대역에서 동작하는 GaN on SiC(질화갈륨) 고전자이동도 트랜지스터(HEMT)입니다. 48V 동작에서 포화 출력 410W를 제공하며 고효율·고선형성을 구현하도록 설계되었습니다. 내부 정합 구조로 4G LTE 및 5G NR 기지국 시스템에 적합합니다.
View Product Specification
4G LTE, 5G NR system
Multi-Band, Multi-Mode
High Efficiency Doherty Amplifier
제품 사양
| Min Freq.(MHz) | 3700MHz |
|---|---|
| Max Freq.(MHz) | 4100MHz |
| Typ Output Power(W) | 56.2W |
| Saturation Power(W) | 410W |
| Power Gain(dB) | 14.2dB |
| Efficiency | 46.1% |
| VDC(V) | 48 |
| Package | RF24008DKR3 |
| Package Type | Flange |
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