통신
RFHIC의 질화갈륨 (GaN) 기술을 통해 차세대
무선통신 인프라 시장을 이끌고 있습니다.
무선통신 인프라 시장을 이끌고 있습니다.
RFHIC ID39084W는 최대 4100MHz까지 동작하는 GaN on SiC(질화갈륨) 고전자이동도 트랜지스터(HEMT)입니다. 48V 동작에서 포화 출력 84W를 제공하며, 3.9GHz Psat 조건에서 64%의 드레인 효율을 확보합니다. WiMAX, LTE, GSM 기지국 전력증폭기(PA)의 최종단에 도허티(Doherty) 구조로 적용할 수 있습니다.
View Product Specification| Min Freq.(MHz) | 3700MHz |
|---|---|
| Max Freq.(MHz) | 4100MHz |
| Typ Output Power(W) | 3W |
| Saturation Power(W) | 94.4W |
| Power Gain(dB) | 14.3dB |
| VDC(V) | 48 |
| Package | RF12002KR3 |
| Package Type | Flange |
| Drain Efficiency(%) | 64% |