통신
RFHIC의 질화갈륨 (GaN) 기술을 통해 차세대
무선통신 인프라 시장을 이끌고 있습니다.
무선통신 인프라 시장을 이끌고 있습니다.
RFHIC IE24200P는 마이크로파 가열·건조 및 플라즈마 조명 장비용 200W GaN on SiC(질화갈륨) RF 전력 트랜지스터입니다. 2400~2500MHz 대역에서 50V 기준 이득 13.1dB, 드레인 효율 76.6%를 제공해 고출력 밀도와 낮은 소비 전력을 동시에 구현합니다. 두 RF 포트에 DC 블로킹 커패시터를 내장한 50Ω 완전 정합 구조입니다. CW(연속파) 및 펄스 운용을 모두 지원하며, 고객 사양에 맞춘 커스터마이징이 가능합니다.
View Product Specification| Min Freq.(MHz) | 2400MHz |
|---|---|
| Max Freq.(MHz) | 2500MHz |
| Output Power(W) | 200W |
| Power Gain(dB) | 13.8dB |
| Drain Efficiency(%) | 74.9% |
| VDC(V) | 50 |
| Package Type | Flange |