IE24200P

GaN 트랜지스터 – RF 에너지
Production

설명

RFHIC IE24200P는 마이크로파 가열·건조 및 플라즈마 조명 장비용 200W GaN on SiC(질화갈륨) RF 전력 트랜지스터입니다. 2400~2500MHz 대역에서 50V 기준 이득 13.1dB, 드레인 효율 76.6%를 제공해 고출력 밀도와 낮은 소비 전력을 동시에 구현합니다. 두 RF 포트에 DC 블로킹 커패시터를 내장한 50Ω 완전 정합 구조입니다. CW(연속파) 및 펄스 운용을 모두 지원하며, 고객 사양에 맞춘 커스터마이징이 가능합니다.

View Product Specification
Microwave Heating
Microwave Drying
Microwave Ablation
Microwave Plasma Generation
Microwave Lighting

제품 사양

Min Freq.(MHz) 2400MHz
Max Freq.(MHz) 2500MHz
Output Power(W) 200W
Power Gain(dB) 13.8dB
Drain Efficiency(%) 74.9%
VDC(V) 50
Package Type Flange