RIM091K1-20

GaN PA – RF 에너지
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설명

RFHIC RIM091K1-20은 900~930MHz 대역에서 동작하는 1.1kW GaN(질화갈륨) 반도체 전력증폭기(GaN SSPA)입니다. 드레인 효율 63%를 제공하며 CW와 펄스 운용이 모두 가능합니다. RFHIC의 GaN-on-SiC HEMT를 적용해 높은 효율과 신뢰성, 선형성을 확보했으며, 두 RF 포트에 DC 블로킹 커패시터를 내장한 50Ω 완전 정합 구조로 시스템 연동이 간단합니다.

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Datasheet

Microwave Heating
Microwave Drying
Plasma Generation
CVD

제품 사양

Min Freq.(MHz) 900MHz
Max Freq.(MHz) 930MHz
Output Power(W) 1100W
Efficiency 63%
VDC(V) 50
Operating Mode CW/Pulse
RF Input Connector SMA, Female
RF Output Connector 7/16 DIN, Female
Cooling Water