통신
RFHIC의 질화갈륨 (GaN) 기술을 통해 차세대
무선통신 인프라 시장을 이끌고 있습니다.
무선통신 인프라 시장을 이끌고 있습니다.
RFHIC RRK102010K-550은 고출력 레이다 응용을 위해 설계된 10kW L밴드 GaN(질화갈륨) 반도체 송신기입니다. GaN-on-SiC(탄화규소 기반 질화갈륨) HEMT를 적용해 우수한 열적 안정성과 높은 항복 전압을 확보했습니다. 클라이스트론, 마그네트론, 진행파관(TWT), 교차장 증폭기 등 기존 진공전자소자(VED) 기반 송신기를 반도체 방식으로 업그레이드할 수 있습니다.
View Product Specification| Band | L-band |
|---|---|
| Min Freq.(MHz) | 1000MHz |
| Max Freq.(MHz) | 2000MHz |
| Type | Rack |
| Min Output Power | 10000W |
| Operating Mode | Pulse |
| Power Gain(dB) | 55dB |
| VAC(V) | 208VAC 3Phase 60Hz |
| Cooling | Air |
| Dimension(mm) | 700(W) x 1000(D) x 1450(H) |