통신
RFHIC의 질화갈륨 (GaN) 기술을 통해 차세대
무선통신 인프라 시장을 이끌고 있습니다.
무선통신 인프라 시장을 이끌고 있습니다.
RFHIC RIM052K5-20은 반도체 장비, 마이크로파 소결(Sintering), 마이크로파 가열 및 플라즈마 발생 응용을 위해 설계된 GaN(질화갈륨) 반도체 전력증폭기(SSPA)입니다. 500MHz ±1MHz 대역폭에서 동작하며, RFHIC의 고도화된 GaN-on-SiC HEMT 기술로 뛰어난 효율과 높은 항복 전압을 제공합니다.
View Product Specification| Min Freq.(MHz) | 499MHz |
|---|---|
| Max Freq.(MHz) | 501MHz |
| Output Power(W) | 2700W |
| Power Gain(dB) | 60dB |
| Efficiency | 60% |
| VDC(V) | 50 |
| RF Input Connector | SMA, Female |
| RF Output Connector | 7/16DIN Female |
| Cooling | Water |