Home Products GaN 전력증폭기 GaN PA – RF 에너지 RIM281K2-20

RIM281K2-20

GaN PA – RF 에너지
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설명

RFHIC RIM281K2-20은 고출력 산업·과학·의료(ISM) 응용을 위해 설계된 1200W GaN(질화갈륨) 반도체 전력증폭기(SSPA)입니다. 2856MHz에서 동작하며 RFHIC의 GaN-on-SiC(탄화규소 기반 질화갈륨) HEMT 공정으로 제작되어 우수한 효율과 높은 항복 전압을 제공합니다. 펄스 운용에 적합하며, 산업용 마그네트론 및 진공관을 대체해 산업 가열·건조, 마이크로파 CVD, 소결 공정의 전력원으로 활용됩니다.

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Datasheet
Microwave Heating and Drying
RF & Microwave Cooking
Linear Accelerators
Plasma Lighting
Waste Management
Carbon Fiber Manufacturing

제품 사양

Max Freq.(MHz) 2856MHz
Power Gain(dB) 60dB
Efficiency 45%
VDC(V) 50
VSWR 6:1
Cooling Air
Dimension(mm) 254(W) x 204(D) x 28(H)
Weight 2kg
Interface RS-232