통신
RFHIC의 질화갈륨 (GaN) 기술을 통해 차세대
무선통신 인프라 시장을 이끌고 있습니다.
무선통신 인프라 시장을 이끌고 있습니다.
RFHIC RIM032K0-20은 선형가속기 및 입자가속기 RF 인프라 응용을 위해 설계된 2kW GaN(질화갈륨) 반도체 전력증폭기(GaN SSPA)입니다. 최대 325MHz 대역에서 동작하며 RFHIC의 GaN-on-SiC(탄화규소 기반 질화갈륨) HEMT 기술로 우수한 효율과 높은 항복 전압을 제공합니다. 72dB 이득과 70% 효율, 50VDC 구동을 지원하며, 수냉(Water Cooling) 방식과 6kg의 경량 설계로 안정적인 장시간 운용이 가능합니다.
View Product Specification| Max Freq.(MHz) | 325MHz |
|---|---|
| Output Power(W) | 2000W |
| Power Gain(dB) | 72dB |
| Efficiency | 70% |
| VDC(V) | 50 |
| VSWR | 6:1 |
| Cooling | Water |
| Dimension(mm) | 360(W) ⅹ 200(D) ⅹ 66(H) |
| Weight | 6kg |