Home Products RF 트랜지스터 GaN 트랜지스터 – 통신 ID19801D

ID19801D

GaN 트랜지스터 – 통신
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설명

RFHIC ID19801D는 1930~1995MHz 대역에서 동작하는 GaN on SiC(질화갈륨-탄화규소) 고전자이동도 트랜지스터(HEMT)입니다. 48V 동작에서 포화 출력 789W를 제공하며 고효율·고선형성을 구현하도록 설계되었습니다. 내부 정합 구조로 4G LTE 시스템 전력증폭기(PA) 설계에 적합합니다.

View Product Specification
WiMAX, 4G LTE, WCDMA, GSM
Multi-Band, Multi-Mode
Multi-Carrier
High Efficiency, Doherty Amplifier

제품 사양

Min Freq.(MHz) 1930MHz
Max Freq.(MHz) 1995MHz
Typ Output Power(W) 107.2W
Saturation Power(W) 800W
Power Gain(dB) 15.5dB
VDC(V) 48
Package RF26009DKR3
Package Type Flange
Drain Efficiency(%) 53%