Home Products RF 트랜지스터 GaN 트랜지스터 – 통신 ID19701D

ID19701D

GaN 트랜지스터 – 통신
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설명

RFHIC ID19701D는 1930~1995MHz 대역에서 동작하는 GaN on SiC(질화갈륨-탄화규소) 고전자이동도 트랜지스터(HEMT)입니다. 48V 동작에서 포화 출력 700W를 제공하며 고효율·고선형성을 구현하도록 설계되었습니다. 내부 정합 구조로 4G LTE 시스템 전력증폭기(PA) 설계에 적합합니다.

View Product Specification
WiMAX, 4G LTE, WCDMA, GSM
Multi-Band, Multi-Mode
Multi-Carrier
High Efficiency, Doherty Amplifier

제품 사양

Min Freq.(MHz) 1930MHz
Max Freq.(MHz) 1995MHz
Typ Output Power(W) 81.3W
Saturation Power(W) 692W
Power Gain(dB) 16.4dB
Efficiency 49%
VDC(V) 48
Package RF26009DKR3
Package Type Flange