통신
RFHIC의 질화갈륨 (GaN) 기술을 통해 차세대
무선통신 인프라 시장을 이끌고 있습니다.
무선통신 인프라 시장을 이끌고 있습니다.
RFHIC H029C12A는 2300~2400MHz 대역에서 동작하는 GaN on SiC(질화갈륨-탄화규소) 고전자이동도 트랜지스터(HEMT)입니다. 48V 동작에서 포화 출력 302W를 제공하며 고효율·고선형성을 구현하도록 설계되었습니다. WiMAX, LTE, WCDMA, GSM 무선통신 시스템에 적합합니다.
View Product Specification| Min Freq.(MHz) | 2300MHz |
|---|---|
| Max Freq.(MHz) | 2400MHz |
| Typ Output Power(W) | 48W |
| Saturation Power(W) | 302W |
| Power Gain(dB) | 13.5dB |
| Efficiency | 48% |
| VDC(V) | 48 |
| Package | RF18010DKR3 |
| Package Type | Flange |