통신
RFHIC의 질화갈륨 (GaN) 기술을 통해 차세대
무선통신 인프라 시장을 이끌고 있습니다.
무선통신 인프라 시장을 이끌고 있습니다.
RFDFE
설명
RFHIC RFDFE는 5G NR 및 4G LTE 시스템용으로 설계된 GaN(질화갈륨) 하이브리드 전력증폭기입니다. 3440~3520MHz 대역에서 출력 3.7W와 39.5%의 효율을 제공합니다. 비대칭 도허티(Asymmetric Doherty) 구조로 3.7W 평균 출력 조건에서 모듈 전체 전력부가효율(PAE)을 높였으며, 질화알루미늄(AlN) 기판의 소형 하이브리드 표면실장(SMD) 패키지로 우수한 방열 성능을 제공합니다. 두 RF 포트에 DC 블로킹 커패시터를 내장한 50Ω 완전 정합 구조입니다.
View Product Specification
5G NR system
4G/LTE system
Massive MIMO
제품 사양
| Min Freq.(MHz) | 3440MHz |
|---|---|
| Max Freq.(MHz) | 3520MHz |
| Typ Output Power(W) | 3.7W |
| Saturation Power(W) | 32.4W |
| Power Gain(dB) | 33dB |
| Efficiency | 40% |
| VDC(V) | 48 |
| Package | PP-1S |
| Package Type | Surface Mount |
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