통신
RFHIC의 질화갈륨 (GaN) 기술을 통해 차세대
무선통신 인프라 시장을 이끌고 있습니다.
무선통신 인프라 시장을 이끌고 있습니다.
IE18085P
설명
RFHIC IE18085P는 1805~1880MHz 대역에서 동작하는 GaN on SiC(질화갈륨-탄화규소) 고전자이동도 트랜지스터(HEMT)입니다. 48V 동작에서 포화 출력 90W와 Psat 드레인 효율 72%를 제공하는 단일 단(single-stage) 내부 정합 전력증폭기 트랜지스터입니다. Doherty 구조의 기지국 전력증폭기(PA) 최종 단에 사용되며 WiMAX, LTE, GSM 시스템에 적합합니다.
View Product Specification
WiMAX, LTE, WCDMA, GSM
Multi-Band, Multi-Mode
Multi-Carrier
High Efficiency Doherty Amplifier
제품 사양
| Min Freq.(MHz) | 1805MHz |
|---|---|
| Max Freq.(MHz) | 1880MHz |
| Typ Output Power(W) | 19W |
| Saturation Power(W) | 90W |
| Power Gain(dB) | 19dB |
| Efficiency | 37% |
| VDC(V) | 48 |
| Package | RF12002KR3 |
| Package Type | Flange |
Related Products
IE18085P ›
RFHIC IE18085P는 1805~1880MHz 대역에서 동작하는 GaN on SiC(질화갈륨-탄화규소) 고전자이동도 트랜지스터(HEMT)입니다. 48V 동작에서 포화 출력 90W와 Psat 드레인 ...
IE18220PG ›
RFHIC IE18220PG는 1805~1880MHz 대역에서 동작하는 GaN on SiC(질화갈륨-탄화규소) 고전자이동도 트랜지스터(HEMT)입니다. 48V 동작에서 포화 출력 220W를 제공하며 Ps...
