통신
RFHIC의 질화갈륨 (GaN) 기술을 통해 차세대
무선통신 인프라 시장을 이끌고 있습니다.
무선통신 인프라 시장을 이끌고 있습니다.
RRP2731200-08
설명
RFHIC RRP2731200-08은 레이다 시스템용으로 설계된 S밴드 250W GaN(질화갈륨) 전력증폭기입니다. 2700~3100MHz 대역에서 이득 8dB와 효율 55%를 구현합니다. RFHIC의 GaN-on-SiC(탄화규소 기반 질화갈륨) HEMT 기술로 설계되어 높은 항복 전압과 넓은 대역폭, 고효율을 제공하며 듀티 20%, 펄스폭 500us 조건을 지원합니다. 두 RF 포트에 DC 블로킹 커패시터를 내장한 50Ω 완전 정합 구조입니다.
View Product Specification
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제품 사양
| Band | S-band |
|---|---|
| Min Freq.(MHz) | 2700MHz |
| Max Freq.(MHz) | 3100MHz |
| Type | Pallet |
| Typ Output Power(W) | 250W |
| Power Gain(dB) | 8dB |
| PAE(%) | 55% |
| VDC(V) | 38 |
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