RFHIC가 고출력 RF·마이크로웨이브, 광전자, 반도체 패키징 분야를 위한 다결정(Polycrystalline) CVD 다이아몬드 히트 스프레더 제품군 DiaFlux™를 선보입니다. 전체 제품 사양과 제품 페이지는 2026년 9월 8일(화)에 공개됩니다.

RFHIC는 지난 20년간 GaN RF·마이크로웨이브 소자를 설계하고 제조해 왔습니다. 이러한 소자의 성능은 밀리미터 크기의 다이에서 열이 얼마나 빠르게 빠져나가는지에 좌우됩니다. 통신, 레이다, RF 에너지, 레이저, 첨단 패키징 전반에서 전력 밀도가 계속 높아지면서, 소자 바로 아래 첫 번째 층의 열 성능이 시스템 전체의 열 설계 여유를 결정하는 요인으로 부각되고 있습니다. DiaFlux™는 RFHIC가 소자 단에서 축적해 온 열 관리 역량을 소재 자체에 적용한 제품입니다.

DiaFlux™ 제품군은 두 가지 등급으로 출시됩니다.

• DiaFlux™ 150 — Standard Thermal Grade, 25 °C 기준 열전도율 1,500 W/m·K
• DiaFlux™ 180 — High Performance Thermal Grade, 25 °C 기준 열전도율 1,800 W/m·K

두 등급 모두 플라즈마 화학기상증착(CVD) 방식으로 성장되며 전기 절연 특성을 가집니다. 칩, 플레이트, 히트 스프레더, 웨이퍼 등 용도에 맞게 가공된 형상으로 공급되며 맞춤 규격도 지원합니다. 상세 치수, 공차, 표면 가공 데이터는 출시 시점에 공개될 예정입니다.

RFHIC DiaFlux™ 기술에 대해 더 알고 싶으신 분은 www.rfhic.co.kr/contact 를 통해 문의해 주시기 바랍니다.

RFHIC 소개

RFHIC(KOSDAQ: A218410)는 GaN RF·마이크로파 솔루션 분야의 글로벌 선도 기업으로, 무선통신, 국방, 항공우주, 산업용 RF 에너지 응용 분야를 전문으로 합니다. 고출력 GaN 트랜지스터를 비롯해 MMIC, 솔리드스테이트 전력증폭기, 마이크로파 발생기 시스템을 자체 개발·생산하여 최고 수준의 품질과 성능을 구현합니다. RFHIC는 보다 긴밀하게 연결되고 에너지 효율적이며 혁신적인 미래를 위해 차세대 전력 반도체 기술의 발전을 선도하고 있습니다. 자세한 내용은 홈페이지에서 확인하실 수 있습니다: www.rfhic.com.

RFHIC®는 등록 상표입니다.

문의처

RFHIC — 글로벌 영업·마케팅 — 이메일: marketing@rfhic.com

행사명 : IMS 2026 — IEEE 국제 마이크로파 심포지엄

일정 : 2026년 6월 7일(일) – 12일(금)

장소 : Thomas M. Menino Convention & Exhibition Center, 미국 매사추세츠주 보스턴

부스번호 : #24054

세계 최대 RF·마이크로파 행사에서 GaN 혁신의 미래를 제시하다

RFHIC는 2026년 6월 7일부터 12일까지 미국 보스턴 Thomas M. Menino Convention & Exhibition Center에서 열린 IEEE 국제 마이크로파 심포지엄(IMS 2026)에 참가했습니다. 올해로 74회를 맞은 IMS는 RF·마이크로파·밀리미터파·테라헤르츠 분야 전문가들이 한자리에 모이는 세계 최대 규모의 산업·학술 행사로, Revolutionizing RF를 주제로 개최되었습니다. RFHIC는 이번 전시를 통해 질화갈륨(GaN) 기술이 만들어 갈 RF 혁신의 방향을 직접 제시했습니다.

RFHIC는 부스에서 상용 통신, 국방·항공우주, 산업용 RF 에너지에 이르기까지 폭넓은 응용 분야를 아우르는 역대 최대 규모의 GaN RF·마이크로파 포트폴리오를 선보였습니다. 현장을 찾은 참관객들은 GaN-on-SiC가 기존 실리콘 대비 더 높은 전력 밀도와 우수한 효율, 그리고 차세대 시스템이 요구하는 높은 신뢰성을 어떻게 구현하는지 직접 확인할 수 있었습니다.

이번 전시의 하이라이트: 차세대 GaN MMIC 포트폴리오

이번 전시의 중심에는 RFHIC가 지속적으로 확장해 온 GaN MMIC 포트폴리오가 자리했습니다. 가장 까다로운 고주파 시스템의 요구에 맞춰 설계된 고성능 단일집적 마이크로파 집적회로(MMIC) 제품군으로, C-band부터 Ka-band까지 폭넓은 주파수 대역을 포괄합니다. 소형 표면실장(SMT) 및 QFN 패키지로 제공되며, 송·수신 기능을 단일 칩에 통합해 기상·해양 레이더, 국방·항공우주 레이더, 데이터링크, 통신 시스템, 점대다점(point-to-multipoint) 무선 등 다양한 응용에 폭넓게 대응합니다.

차세대 위상배열(phased array)과 위성 링크, 밀리미터파 시스템을 개발하는 엔지니어에게 이 포트폴리오는 단일 GaN 플랫폼에서 광대역과 고출력, 높은 집적 밀도를 동시에 확보할 수 있는 흔치 않은 솔루션입니다. 보다 자세한 정보가 필요하시거나 전문 엔지니어와의 상담을 원하시는 경우 아래로 문의해 주시기 바랍니다: https://rfhic.com/contact/.

전 응용 분야를 아우르는 완성형 GaN 솔루션 라인업

RFHIC는 MMIC 라인업과 더불어, 현장에서 성능이 검증된 GaN 솔루션 전반을 함께 선보였습니다.

5G·6G 응용을 위해 설계된 프리드라이버용 GaN 하이브리드 증폭기는 sub-6 GHz 대역에서 동작하며, 50 Ω 정합 구조로 빠르고 간편한 시스템 통합을 지원합니다. 이와 함께 무선 인프라용 고출력 GaN 트랜지스터와 턴키 GaN 전력증폭기 솔루션도 함께 선보였습니다. 턴키 솔루션은 프리드라이버와 메인 트랜지스터, 평가 보드를 하나로 결합한 소형 지능형 모듈로, 전 구성이 50 Ω 정합되어 설계 기간과 실장 면적을 동시에 단축해 줍니다.

국방·항공우주 분야를 위해서는 L-band부터 Ku-band까지 아우르며 킬로와트급 출력을 구현하는 GaN 솔리드스테이트 전력증폭기(SSPA)를 전시했습니다.

RFHIC GaN SSPA — 고출력 솔리드스테이트 전력증폭기

아울러 전자전(EW) 및 다기능 플랫폼을 겨냥한 광대역 증폭기와, 첨단 레이더 프런트엔드를 위한 송수신 모듈(T/R 모듈)도 함께 소개했습니다.

RFHIC GaN 광대역 증폭기

전시의 대미를 장식한 GaN 솔리드스테이트 마이크로파 발생기는 RFHIC의 기술력이 반도체 공정과 CVD에서부터 의료·산업용 가열 응용에 이르기까지 폭넓게 확장되고 있음을 입증했습니다.

위 제품들은 핵심 사양만을 간략히 정리한 것입니다. 상세 사양과 성능 데이터, 맞춤형 옵션은 RFHIC 엔지니어링 팀과의 직접 상담을 통해 가장 정확하게 안내받으실 수 있습니다.

다음 혁신, RFHIC와 함께

RFHIC에게 IMS 2026은 단순한 제품 전시의 자리를 넘어 새로운 협력의 출발점이었습니다. 행사 기간 동안 RFHIC는 전 세계의 고객사와 시스템 통합업체, 연구 파트너를 만나 GaN 기술로 가장 까다로운 RF 과제를 해결할 방안을 함께 모색하고, 미래를 향한 로드맵을 그려 나갔습니다.

RFHIC 부스를 찾아 주신 모든 분들께 감사드립니다. 이번에 방문하지 못하셨더라도 기회는 열려 있습니다. 보스턴에서 선보인 포트폴리오는 RFHIC가 고객의 시스템을 위해 제공할 수 있는 가능성의 시작에 불과합니다. RFHIC의 핵심 솔루션 상당수는 고객의 응용 환경과 요구사항에 맞춰 최적화되어 제공됩니다.

RFHIC의 GaN MMIC와 증폭기가 귀사의 다음 설계를 어떻게 한 단계 끌어올릴 수 있을지 궁금하신가요? RFHIC가 그 해답을 직접 보여 드리겠습니다.

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RFHIC 소개

RFHIC(KOSDAQ: A218410)는 GaN RF·마이크로파 솔루션 분야의 글로벌 선도 기업으로, 무선통신, 국방, 항공우주, 산업용 RF 에너지 응용 분야를 전문으로 합니다. 고출력 GaN 트랜지스터를 비롯해 MMIC, 솔리드스테이트 전력증폭기, 마이크로파 발생기 시스템을 자체 개발·생산하여 최고 수준의 품질과 성능을 구현합니다. RFHIC는 보다 긴밀하게 연결되고 에너지 효율적이며 혁신적인 미래를 위해 차세대 전력 반도체 기술의 발전을 선도하고 있습니다. 자세한 내용은 아래에서 확인하실 수 있습니다: www.rfhic.com.

RFHIC®는 등록 상표입니다.

언론 문의

조은애 팀장

RFHIC Corporation

글로벌 영업·마케팅 총괄

marketing@rfhic-int.com

RFHIC는 GaN solid-state SSPA(Solid State Power Amplifier) 기반 마이크로웨이브 기술을 바탕으로 청록수소(Turquoise Hydrogen) 생산을 위한 핵심 시스템 개발을 수행하고 있습니다.

지난 4월 21일부터 23일까지 제주도에서 산업통상자원부 산하 한국산업기술기획평가원(KEIT)이 지원하는 이종기술융합형 R&D 사업 ‘저활용 에너지 자원을 활용한 청록수소 생산 및 탄소소재 연속 제조 기술 개발’ 과제의 연구성과 공유 회의가 개최되었습니다.

이번 회의에는 1·2·3세부 연구기관이 참여하여 주요 연구성과를 점검하고, 향후 청록수소 생산을 위한 핵심 요소기술 개발 방향을 공유했습니다. 또한 세부 과제 간 기술 연계와 실증화 방향에 대한 논의가 함께 이루어졌습니다.

GaN 마이크로웨이브 기반 청록수소 생산 시스템

RFHIC는 본 과제의 핵심 분야 중 하나인 바이오가스 기반 청록수소 생산 기술을 담당하는 2세부 주관기관으로 참여하고 있습니다.

RFHIC 김상진 박사/사업부장은 GaN solid-state SSPA 기반 마이크로웨이브 기술을 적용하여 연속식 청록수소 생산 시스템 구축을 담당하고 있습니다. 청록수소는 이산화탄소 배출 없이 수소와 고체 탄소를 동시에 생산할 수 있는 수소 생산 방식으로, 본 과제에서는 마이크로웨이브 가열 기반 공정이 적용되고 있습니다.

주요 기술 특징

• 촉매 직접 가열
  마이크로웨이브 기반 촉매 가열 공정 적용
• 저전력 공정 운영
  낮은 전력 조건에서의 공정 운영 가능성 확보
• 바이오가스 전환
  저활용 바이오가스를 활용한 수소 전환 기술 적용
• 연속 공정 구현
  연속식 생산 시스템 구축

청정수소 생산 분야로의 기술 적용 확대

RFHIC는 본 과제를 통해 GaN solid-state 전력증폭기 기반 마이크로웨이브 기술을 청정수소 생산 분야에 적용하고 있습니다. 이는 기존 통신 및 방산 중심으로 활용되어 온 RF 및 마이크로웨이브 기술을 에너지 산업으로 확장하는 적용 사례입니다. RFHIC는 청록수소 생산 공정의 핵심 장비 기술을 확보하고, 향후 수소 생산 및 탄소소재 연속 제조 분야에서 새로운 성장 기반을 마련할 계획입니다.

탄소소재 연계 기술 개발

청록수소 생산 과정에서 생성되는 고체 탄소는 탄소소재로 활용될 수 있으며, 본 과제에서는 해당 소재의 활용 가능성에 대한 연구도 함께 진행되고 있습니다. 2세부에는 RFHIC를 비롯해 한국화학연구원, EST, RIST 등이 참여하고 있으며, 청록수소 생산 기술과 탄소소재 활용 기술 개발이 병행되고 있습니다.

Reference: 기사 원문 보기

청정 에너지 공정을 위한
GaN 마이크로웨이브 기술을 확인해보세요

RFHIC는 GaN solid-state RF 및 마이크로웨이브 기술을 기반으로

청정수소, 탄소소재, 에너지 응용 분야로 기술 적용을 확장하고 있습니다.

기술 협력, R&D 프로젝트, 마이크로웨이브 기반 에너지 시스템에 대해 RFHIC와 논의해보세요.

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RFHIC는 삼성전자 ‘2026 상생협력 DAY’에서 ‘기술혁신으로 완성한 고효율 통신 반도체’ 부문 최우수상을 수상하며, GaN RF 기술 경쟁력을 입증했다.

이번 수상은 RU(Radio Unit) 전력 증폭기용 드라이브 패키지와 메인 패키지 개발 과정에서, 집적화된 GaN 패키지 기술을 적용해 설계 면적을 축소하고 복수의 패키지를 하나로 통합함으로써 성능과 원가 경쟁력을 동시에 확보한 성과를 인정받은 결과다.

RU 전력 증폭기는 5G 통신 인프라의 핵심 부품으로, 높은 출력과 효율, 신뢰성이 요구된다. RFHIC는 GaN RF 기술을 기반으로 이러한 요구를 충족하며, 통신 장비의 성능 향상과 에너지 효율 개선에 기여하고 있다.

이번 시상은 삼성전자가 3월 27일 경기도 성남시 더블트리 바이 힐튼 서울 판교에서 개최한 DX(Device eXperience) 부문 ‘상생협력 DAY’에서 진행되었다. 해당 행사는 협력사와의 소통을 강화하고 동반성장을 도모하기 위해 2012년부터 이어져 온 프로그램이다.

RFHIC는 앞으로도 GaN RF 기술을 기반으로 고객 및 파트너와의 협력을 강화하고, 고성능 RF 솔루션 개발을 통해 글로벌 시장에서의 경쟁력을 지속적으로 확대해 나갈 계획이다

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알에프에이치아이씨(주)에 대하여:

알에프에이치아이씨(주) (코스닥: A218410)는 무선 통신, 방산 및 항공우주, RF 에너지(산업, 과학, 의료) 분야에서 GaN RF 및 마이크로웨이브 부품 및 시스템 설계와 제조 분야의 글로벌 기업입니다. 당사는 질화갈륨 (GaN) 소자를 활용하여 트랜지스터, 전력 증폭기 및 고출력 마이크로웨이브 장비를 자체적으로 설계하고 제조하여 업계 최고의 솔루션을 제공합니다. RF 및 마이크로웨이브 기술 혁신을 통해 산업을 이끌어 더 나은 세상을 만들겠습니다.

GaN Solid-State Microwave 기술 기반 차세대 의료 응용 제시

RFHIC는 서울 코엑스(COEX)에서 개최된 아시아 대표 의료기기 전시회인 KIMES 2026 (Korea International Medical & Hospital Equipment Show)에 참가하여, GaN solid-state 기술을 기반으로 한 RF 및 마이크로웨이브 솔루션을 선보였습니다.

RFHIC는 GaN 소자부터 전력 증폭기, 시스템에 이르는 수직 통합 기술력을 바탕으로 고효율 RF 에너지 솔루션을 개발하고 있으며, 이번 전시를 통해 의료 및 에스테틱 분야로의 적용 가능성을 집중적으로 제시했습니다.

특히, GaN solid-state RF 및 마이크로웨이브 에너지 전달 기술은 피부 리프팅 및 타이트닝과 같이 정밀한 열 제어가 요구되는 시술 영역에서 활용이 기대되며, 차세대 미용 의료기기 설계를 위한 핵심 기술로 주목받고 있습니다.

RFHIC의 GaN 기술은 높은 출력 밀도와 에너지 효율, 그리고 뛰어난 신뢰성을 기반으로 보다 안정적이고 균일한 에너지 제어를 가능하게 하며, 의료 장비의 소형화 및 성능 향상 측면에서 경쟁력을 제공합니다.

또한, RFHIC는 SSPA(Solid-State Power Amplifier) 기반 RF 출력 구조를 적용하여 기존 진공관 대비 효율성과 안정성을 개선한 솔루션을 제시하며, 차세대 의료기기 개발을 위한 기술 방향을 제안했습니다.

전시 기간 동안 RFHIC는 글로벌 의료기기 제조사들과 활발한 기술 교류를 진행하며 다양한 협력 기회를 모색하였습니다.

RFHIC는 앞으로도 GaN solid-state 기술을 기반으로 의료, 반도체, 에너지 등 다양한 산업 분야에서 RF 및 마이크로웨이브 응용을 지속 확대하며, 고부가가치 RF 솔루션을 통해 글로벌 시장에서의 경쟁력을 강화해 나갈 계획입니다.

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알에프에이치아이씨(주)에 대하여:

알에프에이치아이씨(주) (코스닥: A218410)는 무선 통신, 방산 및 항공우주, RF 에너지(산업, 과학, 의료) 분야에서 GaN RF 및 마이크로웨이브 부품 및 시스템 설계와 제조 분야의 글로벌 기업입니다. 당사는 질화갈륨 (GaN) 소자를 활용하여 트랜지스터, 전력 증폭기 및 고출력 마이크로웨이브 장비를 자체적으로 설계하고 제조하여 업계 최고의 솔루션을 제공합니다. RF 및 마이크로웨이브 기술 혁신을 통해 산업을 이끌어 더 나은 세상을 만들겠습니다.

포항공과대학교 가속기연구소와 다목적 방사광가속기용 고출력 증폭기 공급 계약 체결

RFHIC는 포항공과대학교 가속기연구소와 다목적 방사광가속기용 고출력 증폭기(SSPA, Solid-State Power Amplifier) 공급 계약을 체결했다고 밝혔다.

이번 계약은 약 186억5900만원 규모로, 계약 기간은 2026년 2월 11일부터 2029년 12월 31일까지다. 이번 수주는 RFHIC가 기존 통신 및 방산 중심의 RF 반도체 사업을 넘어 국가 전략 연구시설 및 산업 인프라에 적용되는 RF 에너지 시스템 분야로 사업 포트폴리오를 확장했다는 점에서 의미가 있다.

방사광가속기는 전자를 빛의 속도에 가깝게 가속해 매우 밝고 정밀한 X선(방사광)을 생성하는 대형 연구시설로, 물질의 미세 구조와 변화 과정을 정밀하게 분석할 수 있다. 이러한 특성으로 인해 반도체, 소재, 바이오, 에너지 등 다양한 첨단 연구 분야에서 핵심 연구 인프라로 활용되고 있다. 특히 이번 사업의 대상인 4세대 방사광가속기는 기존 대비 향상된 밝기와 정밀도를 기반으로 보다 정확한 분석과 실시간 관찰이 가능한 것이 특징이다.

RFHIC가 공급하게 될 RF 증폭 시스템에는 자사의 GaN(Gallium Nitride) 기반 반도체 기술이 적용된 고출력 SSPA가 탑재된다. 해당 시스템은 높은 에너지 효율과 디지털 제어 기능을 갖추고 있으며, 장시간 연속 운전이 요구되는 환경에서도 안정적인 성능과 우수한 유지보수 편의성을 제공하도록 설계됐다.

RFHIC 관계자는 “장기간 안정적인 운전이 필수적인 국가 대형 연구시설에 당사의 RF 증폭 시스템이 적용된 것은 기술 신뢰성과 공급 역량을 동시에 인정받았다는 의미”라며, “이번 프로젝트를 계기로 반도체 소재 및 장비, 이차전지 장비, 의료 장비 등 다양한 산업 분야로 RF 에너지 사업 확대를 지속적으로 추진할 계획”이라고 밝혔다.

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알에프에이치아이씨(주)에 대하여:

알에프에이치아이씨(주) (코스닥: A218410)는 무선 통신, 방산 및 항공우주, RF 에너지(산업, 과학, 의료) 분야에서 GaN RF 및 마이크로웨이브 부품 및 시스템 설계와 제조 분야의 글로벌 기업입니다. 당사는 질화갈륨 (GaN) 소자를 활용하여 트랜지스터, 전력 증폭기 및 고출력 마이크로웨이브 장비를 자체적으로 설계하고 제조하여 업계 최고의 솔루션을 제공합니다. RF 및 마이크로웨이브 기술 혁신을 통해 산업을 이끌어 더 나은 세상을 만들겠습니다.

RFHIC는 12월 4일(목)부터 7일(일)까지 킨텍스에서 열린 ‘World Hydrogen Expo 2025(WHE 2025)’에 참가해, GaN 기반 솔리드스테이트 마이크로웨이브(MW) 장비를 선보였다고 밝혔다.

RFHIC는 GaN(Gallium Nitride) 반도체 기술을 기반으로 고출력 RF 및 마이크로웨이브 솔루션을 개발·제조하는 기업으로, 마이크로웨이브 에너지를 활용해 청정 수소 생산, 플라즈마 공정, 반도체 장비, 산업용 가열 시스템 등 다양한 분야에서 에너지 효율 혁신을 지원하고 있다.

이번 전시에서 RFHIC가 소개한 마이크로웨이브 장비는 수소 생산 공정에서 요구되는 전력 공급 효율을 높이기 위한 솔루션으로, 정밀한 출력 제어와 높은 안정성을 바탕으로 공정 운영의 신뢰성을 강화하는 데 초점을 맞췄다. RFHIC 측은 “해당 솔루션은 MW 에너지를 촉매에 직접 조사해 빠르게 가열하고, 세밀한 출력 제어를 통해 촉매 온도를 안정적으로 유지함으로써 안정적인 수소 생산을 가능하게 한다”고 설명했다.

기존 촉매 가열 방식이 주로 열전도 기반의 간접 가열인 반면, RFHIC의 MW 장비는 촉매 자체를 직접 가열하는 구조로 열손실을 줄이는 데 유리하다는 것이 회사 측 설명이다. 이를 통해 에너지 효율 향상과 탄소 배출 저감 측면에서도 기대 효과가 있다는 평가다.

RFHIC는 전시 기간 수소 생산 공정 효율화에 관심 있는 참관객들의 현장 상담과 기술 문의가 이어졌으며, MW 기반 촉매 직접 가열 솔루션의 적용 가능성을 중심으로 다양한 협력 방안을 논의했다고 밝혔다.

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알에프에이치아이씨(주) (코스닥: A218410)는 무선 통신, 방산 및 항공우주, RF 에너지(산업, 과학, 의료) 분야에서 GaN RF 및 마이크로웨이브 부품 및 시스템 설계와 제조 분야의 글로벌 기업입니다. 당사는 질화갈륨 (GaN) 소자를 활용하여 트랜지스터, 전력 증폭기 및 고출력 마이크로웨이브 장비를 자체적으로 설계하고 제조하여 업계 최고의 솔루션을 제공합니다. RF 및 마이크로웨이브 기술 혁신을 통해 산업을 이끌어 더 나은 세상을 만들겠습니다.

RFHIC, 국방반도체 자립을 위한 협력 논의의 장 ‘2025 국방반도체 발전포럼’에서 발표

서울, 대한민국 – 2025년 11월 10일
RFHIC는 지난 11월 10일 서울 여의도 전경련회관(FKI 타워)에서 열린 ‘2025 국방반도체 발전포럼’에 참석하여 국방반도체 산업의 발전 방향과 과제에 대한 견해를 공유했습니다.
이번 포럼은 방위사업청이 주최하고, 국방기술진흥연구소와 한국방위산업진흥회가 공동으로 주관했으며, 정부 기관, 학계, 방산업체 및 반도체 전문기업 등 300여 명이 참석한 가운데 진행되었습니다.

■ 국방반도체 국산화의 과제와 발전 방향 제시

RFHIC의 방산사업본부장은 이번 포럼에서「국방프로젝트 진행현황 및 산업현장에서 본 국방반도체 국산화의 과제와 발전방향」이라는 주제로 발표를 진행했습니다.
발표에서는 RFHIC가 추진 중인 주요 국방 프로젝트 및 수출 사례를 바탕으로, 국방반도체의 자립적 공급망 확보, 핵심 부품의 기술 내재화, 민·군 협력 강화를 통한 산업 생태계 조성 방안을 제시했습니다. 또한 실제 산업 현장에서 마주하는 기술적·제도적 한계와 개선 과제를 짚으며, “국방반도체의 경쟁력 확보는 단순한 기술개발을 넘어 산·학·연·군이 유기적으로 협력하는 종합 생태계 구축이 필수적”이라고 강조했습니다.

■ 국가 안보의 핵심, 국방반도체 생태계 강화에 기여

‘국방반도체 발전포럼’은 K-방산 육성과 안보환경 변화에 대응하기 위한 정책 공유 및 협력의 장으로 마련되었습니다.
 이날 행사에서는 이혁재 서울대 반도체공동연구소장의 기조연설을 비롯해, 도윤희 방위사업청 방위사업미래전략담당관, 전승수 한국과학기술기획평가원 본부장, 임성규 나노종합기술원 본부장 등 각계 전문가들이 국방반도체 기술 자립, 민·군 협력 거버넌스, 공공 인프라 활용 전략 등을 발표했습니다.

석종건 방위사업청장은 “이번 포럼이 국방반도체 자립을 위한 폭넓은 공감대를 형성하는 중요한 계기가 되었다”며 “국방반도체가 K-방산과 결합해 국가 핵심 성장동력으로 자리매김하도록 협력 체계를 강화하겠다”고 밝혔습니다. 

■ RFHIC의 역할과 비전

RFHIC는 국내 대표적인 GaN 기반 반도체 및 전력증폭 솔루션 전문기업으로서, 국방 및 통신, 에너지 등 다양한 산업 영역에서 첨단 RF 기술 국산화를 선도하고 있습니다.
 이번 포럼 참여를 통해 국방반도체 산업 발전과 자립 생태계 구축에 기여하며, 국가 안보 강화와 K-방산의 글로벌 경쟁력 확보에 일조하고자 합니다.

“RFHIC는 앞으로도 정부, 연구기관, 그리고 방산업계와의 긴밀한 협력을 통해 국방반도체 기술의 자립과 혁신을 지속적으로 추진하겠습니다.” — RFHIC 방산사업본부장

알에프에이치아이씨(주)에 대하여:

알에프에이치아이씨(주) (코스닥: A218410)는 무선 통신, 방산 및 항공우주, RF 에너지(산업, 과학, 의료) 분야에서 GaN RF 및 마이크로웨이브 부품 및 시스템 설계와 제조 분야의 글로벌 기업입니다. 당사는 질화갈륨 (GaN) 소자를 활용하여 트랜지스터, 전력 증폭기 및 고출력 마이크로웨이브 장비를 자체적으로 설계하고 제조하여 업계 최고의 솔루션을 제공합니다. RF 및 마이크로웨이브 기술 혁신을 통해 산업을 이끌어 더 나은 세상을 만들겠습니다.

[전시개요]

전시 : Meteorological Technology World Expo 2025
기간 :2025년 9월 24일 ~ 26일

장소 : Messe Wien Exhibition & Congress Center, 비엔나, 오스트리아

부스번호 : A640

RFHIC가 오스트리아 비엔나에서 열린 Meteorological Technology World Expo 2025에 참가했습니다.

이번 전시에서 RFHIC는 기상 레이더 송신기 및 증폭기 시스템을 위한 최신 GaN SSPA(Solid-State Power Amplifier) 기술을 선보이며, 차세대 기상 레이더 시스템의 성능과 신뢰성을 향상 시킬 수 있는 혁신적인 솔루션을 소개했습니다. 또한 전 세계 기상 기술 및 산업 전문가들과의 교류를 통해, 고효율·고출력 GaN 기술 분야에서의 RFHIC의 기술 리더십을 다시 한 번 입증하는 뜻깊은 시간이었습니다.

 GaN 전력증폭기 (기상 레이더용)

S-Band	C-Band	X-Band
15kW 2700-3100 MHz	8.5kW, 5600-5700 MHz	5kW, 9000-10 GHz
RRT273115K-690	RRK56578K5-790	RRT951005K0-570

RFHIC는 앞으로도 지속적인 기술 혁신을 통해 차세대 레이더 및 센싱 시스템을 위한 첨단 GaN 솔루션 개발을 선도해 나가겠습니다.

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알에프에이치아이씨(주)에 대하여:

알에프에이치아이씨(주) (코스닥: A218410)는 무선 통신, 방산 및 항공우주, RF 에너지(산업, 과학, 의료) 분야에서 GaN RF 및 마이크로웨이브 부품 및 시스템 설계와 제조 분야의 글로벌 기업입니다. 당사는 질화갈륨 (GaN) 소자를 활용하여 트랜지스터, 전력 증폭기 및 고출력 마이크로웨이브 장비를 자체적으로 설계하고 제조하여 업계 최고의 솔루션을 제공합니다. RF 및 마이크로웨이브 기술 혁신을 통해 산업을 이끌어 더 나은 세상을 만들겠습니다.

[전시개요]

• 전시명: European Microwave Week (EuMW) 2025

• 기간: 2025년 9월 23일(화) – 25일(목)

• 장소: Jaarbeurs Convention Centre, Utrecht, The Netherlands

• RFHIC 부스 번호: #B118

• 공식 홈페이지: www.eumw.eu

유럽 RF 시장에서 기술 리더십 강화 및 글로벌 협력 기회 확대

RFHIC는 지난 9월 23일부터 25일까지 네덜란드 위트레흐트 Jaarbeurs Convention Centre에서 열린 ‘European Microwave Week (EuMW) 2025’에 참가해, 자사의 최신 GaN(질화갈륨) 기반 RF 및 마이크로파 제품 및 솔루션을 선보였습니다. 이번 전시를 통해 RFHIC는 고효율·고출력 GaN 기술을 중심으로 한 RF 혁신 비전을 제시하며, 유럽 시장 내 기술 협력과 글로벌 파트너십 기회를 한층 강화했습니다.

유럽 최대 RF·마이크로파 전시회, 산업의 경계를 넘어선 기술 교류의 장

EuMW는 전 세계 RF 및 마이크로파 전문가들이 모이는 유럽 최대 규모의 전문 전시회로, 레이더, 위성통신, 방산, 5G/6G 통신, RF 에너지 응용 등 다양한 분야의 최신 기술이 소개되는 행사입니다. RFHIC는 부스 B118에서 고주파 마이크로파 RF Generator를 비롯한 통신·방산·RF 에너지 분야 주요 제품을 전시해 관람객들의 높은 관심을 받았습니다. 특히 당사의 GaN 기반 솔루션은 기존 실리콘(Si) 기반 증폭기 대비 출력밀도와 효율이 크게 향상되어, 고성능·고신뢰 RF 시스템 구축에 최적화된 기술로 호평을 받았습니다.

글로벌 기술 협력 확대

전시 기간 동안 RFHIC는 글로벌 고객 및 여러 기관과의 미팅을 통해 GaN 기술의 응용 가능성과 미래 RF 시스템의 방향성을 논의했습니다. 또한 유럽 주요 기업 및 기관과의 협력 네트워크를 강화하며,

향후 공동 개발 및 지역 맞춤형 솔루션 제공을 위한 협력 방안도 논의했습니다.

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알에프에이치아이씨(주) (코스닥: A218410)는 무선 통신, 방산 및 항공우주, RF 에너지(산업, 과학, 의료) 분야에서 GaN RF 및 마이크로웨이브 부품 및 시스템 설계와 제조 분야의 글로벌 기업입니다. 당사는 질화갈륨 (GaN) 소자를 활용하여 트랜지스터, 전력 증폭기 및 고출력 마이크로웨이브 장비를 자체적으로 설계하고 제조하여 업계 최고의 솔루션을 제공합니다. RF 및 마이크로웨이브 기술 혁신을 통해 산업을 이끌어 더 나은 세상을 만들겠습니다.