Home Products 고출력 RF/마이크로웨이브 시스템 GaN 마이크로웨이브 장비 RIP25030-10G

RIP25030-10G

GaN 마이크로웨이브 장비
Sample Available for purchase
Contact
Sales Download Datasheet

설명

RFHIC RIP25030-10G는 마이크로파 가열 및 플라즈마 발생 응용을 위한 30W, 2400~2500MHz GaN(질화갈륨) 반도체 마이크로파 제너레이터입니다. 모듈형 구조로 10~30W 범위에서 출력을 조절할 수 있으며 CW와 펄스 운용을 모두 지원합니다. GaN-on-SiC(탄화규소 기반 질화갈륨) 트랜지스터와 VCO 신시사이저를 내장해 외부 신호원이 필요 없으며, 마이크로파 가열·건조, 플라즈마 발생, 의료 응용에 적합한 소형 설계입니다.

View Product Specification

Datasheet
Microwave Heating and Drying
Plasma Generation
Semiconductor Equipment
Building Block for High Power Systems

제품 사양

Min Freq.(MHz) 2400MHz
Max Freq.(MHz) 2500MHz
Output Power(W) 30W
DC RF Efficiency(%) 65%
VDC(V) 48
Operating Mode CW/Pulse
Cooling Air
Dimension(mm) 45(W) x 24(D) x 10.8(H)
Weight 0.3kg