통신
RFHIC의 질화갈륨 (GaN) 기술을 통해 차세대
무선통신 인프라 시장을 이끌고 있습니다.
무선통신 인프라 시장을 이끌고 있습니다.
About
RFHIC
알에프에이치아이씨(주)는 기술로 세상을 바꾸고
미래를 이끄는 혁신적인 기업입니다.
About
창립 배경
1999년,
알에프에이치아이씨(주)는
무선통신용 반도체 기업으로
시작했습니다.
1999년, 회장 조삼열과 사장 조덕수가 합심하여
알에프에이차이이씨(주)를 창립했습니다.
RFHIC는 성능이 높고, 합리적인 가격의 무선주파수 장비를
국내 시장에 제공하겠다는 일념으로 시작되었습니다.
걸어온 길
회사 연혁
2004
파운드리 업체와 전략적 파트너쉽 체결 – 2004
질화갈륨/탄화규소 전문 파운드리 업체와 전략적 파트너쉽 계약을 맺었습니다.
동시에 케이블티비와 관련하여 모토롤라사와 대규모 계약을 체결했습니다.
동시에 케이블티비와 관련하여 모토롤라사와 대규모 계약을 체결했습니다.
2010
통신용 GaN on SiC 제품 납품 – 2010
LTE 및 통신 시장에 질화갈륨/탄화규소 (GaN-on-SiC) 전력증폭기를 납품하기 시작했습니다.
2017
코스닥 상장 – 2017
2017년 9월 1일, 알에프에이치아이씨(주)가 한국거래소 (KOSDAQ)에 상장되었습니다. (218410)
2019
코스닥 라이징 스타 선정 – 2019
2019년에 한국거래소 (KOSDAQ) 라이징 스타로 선정되었습니다.
2009
질화갈륨 (GaN) 전력증폭기 개발 성공 – 2009
처음으로 질화갈륨/탄화규소 (GaN-on-SiC) 전력 증폭기 제품군을 개발하여 무선 기지국 시장에 공급하기 시작했습니다.
1999
알에프에이치아이씨(주) 창립 – 1999
1999년, 알에프에이치이아이씨(주)가 창립되었습니다.
국내 위성통신 시장에 절실히 필요했던 합리적인 가격의 GaAs 부품을 공급하면서 RFHIC는 시작되었습니다.
국내 위성통신 시장에 절실히 필요했던 합리적인 가격의 GaAs 부품을 공급하면서 RFHIC는 시작되었습니다.
2015
안양 사옥 이전 – 2015
2015년, 본사를 안양시 동안구로 이전했습니다.
2011
방산 및 레이더 시장 진출 – 2011
본격적으로 방산 및 레이더 시장에 진출했습니다. 해외 방산업체에게 질화갈륨 (GaN) 전력증폭기를 공급하기 시작했습니다.
2012
미국 법인 RFHIC US 설립 – 2012
미국 노스캐롤라이나 주에 알에프에이치아이씨(주)와 독립된 미국 법인인 RFHIC US Corporation 설립
