통신
RFHIC의 질화갈륨 (GaN) 기술을 통해 차세대
무선통신 인프라 시장을 이끌고 있습니다.
무선통신 인프라 시장을 이끌고 있습니다.
행사명 : IMS 2026 — IEEE 국제 마이크로파 심포지엄
일정 : 2026년 6월 7일(일) – 12일(금)
장소 : Thomas M. Menino Convention & Exhibition Center, 미국 매사추세츠주 보스턴
부스번호 : #24054
세계 최대 RF·마이크로파 행사에서 GaN 혁신의 미래를 제시하다
RFHIC는 2026년 6월 7일부터 12일까지 미국 보스턴 Thomas M. Menino Convention & Exhibition Center에서 열린 IEEE 국제 마이크로파 심포지엄(IMS 2026)에 참가했습니다. 올해로 74회를 맞은 IMS는 RF·마이크로파·밀리미터파·테라헤르츠 분야 전문가들이 한자리에 모이는 세계 최대 규모의 산업·학술 행사로, Revolutionizing RF를 주제로 개최되었습니다. RFHIC는 이번 전시를 통해 질화갈륨(GaN) 기술이 만들어 갈 RF 혁신의 방향을 직접 제시했습니다.
RFHIC는 부스에서 상용 통신, 국방·항공우주, 산업용 RF 에너지에 이르기까지 폭넓은 응용 분야를 아우르는 역대 최대 규모의 GaN RF·마이크로파 포트폴리오를 선보였습니다. 현장을 찾은 참관객들은 GaN-on-SiC가 기존 실리콘 대비 더 높은 전력 밀도와 우수한 효율, 그리고 차세대 시스템이 요구하는 높은 신뢰성을 어떻게 구현하는지 직접 확인할 수 있었습니다.
이번 전시의 하이라이트: 차세대 GaN MMIC 포트폴리오
이번 전시의 중심에는 RFHIC가 지속적으로 확장해 온 GaN MMIC 포트폴리오가 자리했습니다. 가장 까다로운 고주파 시스템의 요구에 맞춰 설계된 고성능 단일집적 마이크로파 집적회로(MMIC) 제품군으로, C-band부터 Ka-band까지 폭넓은 주파수 대역을 포괄합니다. 소형 표면실장(SMT) 및 QFN 패키지로 제공되며, 송·수신 기능을 단일 칩에 통합해 기상·해양 레이더, 국방·항공우주 레이더, 데이터링크, 통신 시스템, 점대다점(point-to-multipoint) 무선 등 다양한 응용에 폭넓게 대응합니다.
차세대 위상배열(phased array)과 위성 링크, 밀리미터파 시스템을 개발하는 엔지니어에게 이 포트폴리오는 단일 GaN 플랫폼에서 광대역과 고출력, 높은 집적 밀도를 동시에 확보할 수 있는 흔치 않은 솔루션입니다. 보다 자세한 정보가 필요하시거나 전문 엔지니어와의 상담을 원하시는 경우 아래로 문의해 주시기 바랍니다: https://rfhic.com/contact/.
전 응용 분야를 아우르는 완성형 GaN 솔루션 라인업
RFHIC는 MMIC 라인업과 더불어, 현장에서 성능이 검증된 GaN 솔루션 전반을 함께 선보였습니다.
5G·6G 응용을 위해 설계된 프리드라이버용 GaN 하이브리드 증폭기는 sub-6 GHz 대역에서 동작하며, 50 Ω 정합 구조로 빠르고 간편한 시스템 통합을 지원합니다. 이와 함께 무선 인프라용 고출력 GaN 트랜지스터와 턴키 GaN 전력증폭기 솔루션도 함께 선보였습니다. 턴키 솔루션은 프리드라이버와 메인 트랜지스터, 평가 보드를 하나로 결합한 소형 지능형 모듈로, 전 구성이 50 Ω 정합되어 설계 기간과 실장 면적을 동시에 단축해 줍니다.
국방·항공우주 분야를 위해서는 L-band부터 Ku-band까지 아우르며 킬로와트급 출력을 구현하는 GaN 솔리드스테이트 전력증폭기(SSPA)를 전시했습니다.
RFHIC GaN SSPA — 고출력 솔리드스테이트 전력증폭기
| GaN-on-SiC 솔리드스테이트 증폭기 | 입출력 50 Ω 정합 | 맞춤형 솔루션 요청 가능 | ||||||||
| P/N | 대역 | 최저 주파수 (MHz) | 최고 주파수 (MHz) | 출력 (W) | 이득 (dB) | 전압 (V) | 효율 (%) | 데이터시트 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RRP131K0-10 | L-band | 1200 | 1400 | 1000 | 53 | 50 | 45 | 데이터시트 |
| RRP27371K5-30 | S-band | 2700 | 3700 | 1500 | 30 | 50 | 35 | 데이터시트 |
| RRP54591K2-42 | C-band | 5400 | 5900 | 1200 | 40 | 50 | 25 | 데이터시트 |
| RRP54592K4-24 | C-band | 5400 | 5900 | 2400 | 24 | 50 | 25 | 데이터시트 |
| RRP5758065-40 | C-band | 5725 | 5850 | 65 | 40 | 32 | 35 | 데이터시트 |
| RRM9395200-56A | X-band | 9300 | 9500 | 200 | 56 | 50 | 25 | 데이터시트 |
| RRM9397800-59A | X-band | 9300 | 9700 | 800 | 59 | 50 | 20 | 데이터시트 |
| RRP099104080-49 | X-band | 9900 | 10400 | 80 | 49 | 40 | 25 | 데이터시트 |
| RRP162168100-08A | Ku-band | 16200 | 16800 | 100 | 8 | 50 | 20 | 데이터시트 |
아울러 전자전(EW) 및 다기능 플랫폼을 겨냥한 광대역 증폭기와, 첨단 레이더 프런트엔드를 위한 송수신 모듈(T/R 모듈)도 함께 소개했습니다.
RFHIC GaN 광대역 증폭기
| GaN-on-SiC 솔리드스테이트 증폭기 | 입출력 50 Ω 정합 | 맞춤형 솔루션 요청 가능 | ||||||||
| P/N | 대역 | 최저 주파수 (MHz) | 최고 주파수 (MHz) | 출력 (W) | 이득 (dB) | 전압 (V) | 효율 (%) | 데이터시트 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RWP03040-10 | 광대역 | 20 | 520 | 40 | 40 | 28 | 53 | 데이터시트 |
| RWM0105050-47 | 광대역 | 20 | 520 | 50 | 47 | 32 | 50 | 출시 예정 |
| RWM0110050-47 | 광대역 | 20 | 1000 | 50 | 47 | 32 | 50 | 출시 예정 |
| RWP06040-6H | 광대역 | 500 | 1000 | 40 | 42 | 28 | 50 | 출시 예정 |
| RWP15080-10 | 광대역 | 700 | 2500 | 100 | 53 | 32 | 35 | 데이터시트 |
| RWP1030050-37 | 광대역 | 1000 | 3000 | 50 | 37 | 32 | 40 | 데이터시트 |
| RWP2540200-53 | 광대역 | 2500 | 4000 | 200 | 50 | 48 | 34 | 데이터시트 |
| RWP5872050-10 | 광대역 | 5800 | 7200 | 50 | 35 | 32 | 44.8 | 데이터시트 |
| RWP0427100-53 | 광대역 | 400 | 2700 | 80 | 49 | 32 | 30 | 출시 예정 |
| RWP2560050-10 | 광대역 | 2500 | 6000 | 50 | 47 | 28 | 22 | 출시 예정 |
| RWP05120-51 | 광대역 | 20 | 1000 | 120 | 56 | 28 | 40 | 데이터시트 |
| RWP2060080-50 | 광대역 | 2000 | 6000 | 80 | 50 | 36 | 22 | 데이터시트 |
| RWP4060100-50 | 광대역 | 4000 | 6000 | 100 | 50 | 36 | 25 | 데이터시트 |
| RWP0409100-50 | 광대역 | 395 | 930 | 80 | 49 | 28 | 45 | 출시 예정 |
| RWP2040400-19 | 광대역 | 2000 | 4000 | 400 | 19 | 50 | 25 | 데이터시트 |
전시의 대미를 장식한 GaN 솔리드스테이트 마이크로파 발생기는 RFHIC의 기술력이 반도체 공정과 CVD에서부터 의료·산업용 가열 응용에 이르기까지 폭넓게 확장되고 있음을 입증했습니다.
위 제품들은 핵심 사양만을 간략히 정리한 것입니다. 상세 사양과 성능 데이터, 맞춤형 옵션은 RFHIC 엔지니어링 팀과의 직접 상담을 통해 가장 정확하게 안내받으실 수 있습니다.
다음 혁신, RFHIC와 함께
RFHIC에게 IMS 2026은 단순한 제품 전시의 자리를 넘어 새로운 협력의 출발점이었습니다. 행사 기간 동안 RFHIC는 전 세계의 고객사와 시스템 통합업체, 연구 파트너를 만나 GaN 기술로 가장 까다로운 RF 과제를 해결할 방안을 함께 모색하고, 미래를 향한 로드맵을 그려 나갔습니다.
RFHIC 부스를 찾아 주신 모든 분들께 감사드립니다. 이번에 방문하지 못하셨더라도 기회는 열려 있습니다. 보스턴에서 선보인 포트폴리오는 RFHIC가 고객의 시스템을 위해 제공할 수 있는 가능성의 시작에 불과합니다. RFHIC의 핵심 솔루션 상당수는 고객의 응용 환경과 요구사항에 맞춰 최적화되어 제공됩니다.
RFHIC의 GaN MMIC와 증폭기가 귀사의 다음 설계를 어떻게 한 단계 끌어올릴 수 있을지 궁금하신가요? RFHIC가 그 해답을 직접 보여 드리겠습니다.
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알에프에이치아이씨(주)에 대하여:
알에프에이치아이씨(주) (코스닥: A218410)는 무선 통신, 방산 및 항공우주, RF 에너지(산업, 과학, 의료) 분야에서 GaN RF 및 마이크로웨이브 부품 및 시스템 설계와 제조 분야의 글로벌 기업입니다. 당사는 질화갈륨 (GaN) 소자를 활용하여 트랜지스터, 전력 증폭기 및 고출력 마이크로웨이브 장비를 자체적으로 설계하고 제조하여 업계 최고의 솔루션을 제공합니다. RF 및 마이크로웨이브 기술 혁신을 통해 산업을 이끌어 더 나은 세상을 만들겠습니다.
