Home Products RF 트랜지스터 GaN 트랜지스터 – 통신 H020C12D

H020C12D

GaN 트랜지스터 – 통신
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설명

RFHIC H020C12D는 1930~2000MHz 대역에서 동작하는 GaN on SiC(질화갈륨-탄화규소) 고전자이동도 트랜지스터(HEMT)입니다. 48V 동작에서 포화 출력 398W를 제공하며 고효율·고선형성을 구현하도록 설계되었습니다. WiMAX, LTE, WCDMA, GSM 무선통신 시스템에 적합합니다.

View Product Specification
WiMAX, LTE, WCDMA, GSM
Multi-Band, Multi-Mode
Multi-Carrier
High Efficiency Doherty Amplifier

제품 사양

Min Freq.(MHz) 1930MHz
Max Freq.(MHz) 2000MHz
Typ Output Power(W) 79W
Saturation Power(W) 398W
Power Gain(dB) 14.4dB
Efficiency 47%
VDC(V) 48
Package RF24010DKR3
Package Type Flange