통신
RFHIC의 질화갈륨 (GaN) 기술을 통해 차세대
무선통신 인프라 시장을 이끌고 있습니다.
무선통신 인프라 시장을 이끌고 있습니다.
RNP58200-10
설명
RFHIC RNP58200-10은 5725~5875MHz 대역에서 동작하는 200W GaN(질화갈륨) 반도체 전력증폭기(GaN SSPA)로, 플라즈마 발생 장비에 최적화되어 있습니다. RFHIC의 GaN-on-SiC 기술로 제작되어 CW와 펄스 운용을 모두 지원하며, 출력·주파수·위상 조정 기능을 제공합니다.
View Product Specification
Microwave Heating
Microwave Drying
Plasma Generation
제품 사양
| Min Freq.(MHz) | 5725MHz |
|---|---|
| Max Freq.(MHz) | 5875MHz |
| Output Power(W) | 200W |
| Efficiency | 38% |
| VDC(V) | 40 |
| RF Input Connector | SMA, Female |
| RF Output Connector | N-Type Female |
| Cooling | Water |
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