통신
RFHIC의 질화갈륨 (GaN) 기술을 통해 차세대
무선통신 인프라 시장을 이끌고 있습니다.
무선통신 인프라 시장을 이끌고 있습니다.
RFHIC HM0220-05A는 전자전(EW) 재밍 및 의료기기 응용을 위한 GaN(질화갈륨) 하이브리드 전력증폭기입니다. 200~2000MHz 광대역을 커버하며 P3dB 조건에서 이득 35dB와 효율 30%를 제공합니다. RFHIC의 GaN-on-SiC(탄화규소 기반 질화갈륨) HEMT 공정으로 설계되었으며, 메탈 리드와 질화알루미늄(AlN) 기판을 적용한 하이브리드 표면실장(SMD) 패키지로 우수한 방열 성능을 제공합니다. 두 RF 포트에 DC 블로킹 커패시터를 내장한 50Ω 완전 정합 구조입니다.
View Product Specification| Min Freq.(MHz) | 200MHz |
|---|---|
| Max Freq.(MHz) | 2500MHz |
| Saturation Power(W) | 5W |
| Power Gain(dB) | 35dB |
| Efficiency | 30% |
| VDC(V) | 28 |