통신
RFHIC의 질화갈륨 (GaN) 기술을 통해 차세대
무선통신 인프라 시장을 이끌고 있습니다.
무선통신 인프라 시장을 이끌고 있습니다.
ID19601D
설명
RFHIC ID19601D는 1930~1995MHz 대역에서 동작하는 GaN on SiC(질화갈륨-탄화규소) 고전자이동도 트랜지스터(HEMT)입니다. 48V 동작에서 포화 출력 600W를 제공하며 고효율·고선형성을 구현하도록 설계되었습니다. 내부 정합 구조로 4G LTE 및 5G NR 시스템 전력증폭기(PA) 설계에 적합합니다.
View Product Specification
4G LTE, 5G NR system
Multi-Band, Multi-Mode
Doherty Amplifier
제품 사양
| Min Freq.(MHz) | 1930MHz |
|---|---|
| Max Freq.(MHz) | 1995MHz |
| Typ Output Power(W) | 81.3W |
| Saturation Power(W) | 600W |
| Power Gain(dB) | 16.2dB |
| Efficiency | 48.2% |
| VDC(V) | 48 |
| Package | RF24009DKR3 |
| Package Type | Flange |
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