통신
RFHIC의 질화갈륨 (GaN) 기술을 통해 차세대
무선통신 인프라 시장을 이끌고 있습니다.
무선통신 인프라 시장을 이끌고 있습니다.
RT12014P
설명
RFHIC RT12014P는 0~6000MHz 대역에서 동작하는 GaN on SiC(질화갈륨-탄화규소) 고전자이동도 트랜지스터(HEMT)입니다. 48V 동작에서 포화 출력 14W와 2.6GHz 35dBm 드레인 효율 33%를 제공하는 단일 단(single-stage) 내부 정합 전력증폭기 트랜지스터입니다. Doherty 구조의 기지국 전력증폭기(PA) 최종 단에 사용되며 WiMAX, LTE, GSM 시스템에 적합합니다.
View Product Specification
WiMAX, LTE, WCDMA, GSM
Multi-Band, Multi-Mode
Multi-Carrier
High Efficiency Doherty Amplifier
제품 사양
| Max Freq.(MHz) | 6000MHz |
|---|---|
| Typ Output Power(W) | 3.2W |
| Saturation Power(W) | 14W |
| Power Gain(dB) | 17.5dB |
| VDC(V) | 48 |
| Package | NS-CS01 |
| Package Type | Flange |
| Drain Efficiency(%) | 33% |
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